戦略的創造研究推進事業CRESTの2025年度募集において、フランス国立研究機構（ANR）と連携し、以下の研究領域で日仏共同提案を募集します。採択された場合、日本側グループはJST（CREST）から、フランス側グループはANRからそれぞれ支援を受けます。

  • 共同研究提案を募集する研究領域：
    「ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術」（研究総括：齋藤 理一郎）
    「予測・制御のための数理科学的基盤の創出」（研究総括：小谷 元子）

応募方法

JSTとANRの両機関に共同研究提案書（英語、CREST-ANR共通書式）を申請してください。

申請受付期間

  • ANR側：2025年3月3日（月）～6月2日（月）10:00 中央ヨーロッパ時間（夏時間）

※ANRの申請受付期間は、JST（CREST）と異なりますのでご注意ください。
※JSTの申請受付は、今後CREST募集HPにてご案内いたします。
※CRESTへの応募の際に、ANRに提出した日仏共同研究提案の内容を変更することはできません。
※日仏共同提案と通常のCREST提案の両方を申請することはできません。

詳細については以下URLをご確認ください。

問合せ先

国立研究開発法人科学技術振興機構 戦略研究推進部
［募集専用］E-mail: